4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный



Сохраните в закладки:

Цена:7 694,05RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Advanced Materials Research Specialist Store

Advanced Materials Research Specialist Store

Магазина Advanced Materials Research Specialist Store работает с 18.11.2015. его рейтинг составлет 85.71 баллов из 100. В избранное добавили 360 покупателя. Средний рейтинг торваров продавца 4.7 в продаже представленно 2266 наименований товаров, успешно доставлено 86 заказов. 7 покупателей оставили отзывы о продавце.

Характеристики

4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный

История изменения цены

*Текущая стоимость 7 694,05 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Jun-22-2026 9156.26 руб. 9614.46 руб. 9385 руб.
May-22-2026 9079.52 руб. 9533.56 руб. 9306 руб.
Apr-22-2026 7617.30 руб. 7998.60 руб. 7807.5 руб.
Mar-22-2026 8925.18 руб. 9371.16 руб. 9148 руб.
Feb-22-2026 7771.92 руб. 8160.92 руб. 7965.5 руб.
Jan-22-2026 8771.22 руб. 9210.30 руб. 8990.5 руб.
Dec-22-2025 8694.49 руб. 9129.52 руб. 8911.5 руб.
Nov-22-2025 8617.91 руб. 9048.76 руб. 8832.5 руб.
Oct-22-2025 8540.33 руб. 8967.66 руб. 8753.5 руб.

Описание товара

4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный4 дюймовый Диоксид Кремния SIO2 вафель/Сопротивление 0 01 02 ОМ * см/Модель = одиночный


 Спецификация продукта:

1 Материал: Кремний высокой чистоты 2 размера: 4 дюйма 3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм 4 Толщина: 500 мкм 5 толщина оксида: 500 нм 6 Модель: P 7 характеристики: одиночный кислород 8: удельное сопротивление 0,01-0,02 Омега/см 9 направление кристаллов: <100> 10 полировка: диоксид кремния 11 Основные применения: PVD/CVD покрытие, магнетронное распыление, XRD, SEM, образец атомного роста силы, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристального рентгеновского анализа.

 

   1456237


Смотрите так же другие товары: