Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 3 732,79 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Mar-27-2026 | 4441.26 руб. | 4663.63 руб. | 4552 руб. |
| Feb-27-2026 | 4404.95 руб. | 4624.64 руб. | 4514 руб. |
| Jan-27-2026 | 3695.53 руб. | 3880.71 руб. | 3787.5 руб. |
| Dec-27-2025 | 4329.22 руб. | 4545.56 руб. | 4437 руб. |
| Nov-27-2025 | 3769.9 руб. | 3957.94 руб. | 3863 руб. |
| Oct-27-2025 | 4254.19 руб. | 4467.17 руб. | 4360.5 руб. |
| Sep-27-2025 | 4217.5 руб. | 4428.25 руб. | 4322.5 руб. |
| Aug-27-2025 | 4180.43 руб. | 4389.3 руб. | 4284.5 руб. |
| Jul-27-2025 | 4143.16 руб. | 4350.77 руб. | 4246.5 руб. |
Описание товара




ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния
Технические характеристики:
Одинарный кристалл, 5*15 мм.Коробка передач длина волны1200-14000nm.Односторонняя полировка, в месте.
Материал:
Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.
Область применения:
1. PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее








Смотрите так же другие товары: